maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAP51-03,115
Référence fabricant | BAP51-03,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BAP51-03,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAP51-03,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Max | 50mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 5V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 500mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP51-03,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAP51-03,115-FT |
RN731VFHTE-17
Rohm Semiconductor
RN771VFHTE-17
Rohm Semiconductor
RN142VTE-17
Rohm Semiconductor
RN741VTE-17
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RN142STE61
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1SS390TE61
Rohm Semiconductor
RN141STE61
Rohm Semiconductor
DAN235ETL
Rohm Semiconductor
DAP236UT106
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RN739FT106
Rohm Semiconductor
XC6SLX75T-N3FGG676C
Xilinx Inc.
A3P030-1VQ100
Microsemi Corporation
EP3C16F484I7
Intel
EP4CE6F17I8LN
Intel
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
5SGXMA9N3F45C2LN
Intel
XC6VLX760-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
EP2SGX130GF1508C3
Intel