maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BA278,115
Référence fabricant | BA278,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BA278,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BA278,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 35V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 1.2pF @ 6V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 700 mOhm @ 2mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 715mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA278,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BA278,115-FT |
RN262GT2R
Rohm Semiconductor
RN152GT2R
Rohm Semiconductor
RN731VTE-17
Rohm Semiconductor
RN771VTE-17
Rohm Semiconductor
1SS356TW11
Rohm Semiconductor
RN731VFHTE-17
Rohm Semiconductor
RN771VFHTE-17
Rohm Semiconductor
RN142VTE-17
Rohm Semiconductor
RN741VTE-17
Rohm Semiconductor
RN142STE61
Rohm Semiconductor
LFXP3E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FTG256I
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M2GL010T-FGG484
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Microsemi Corporation
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Intel
XC4020XL-2BG256I
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XC7K410T-2FB900I
Xilinx Inc.
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
EP2AGX125EF29C6N
Intel