maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / MEST2G-150-10-CM32
Référence fabricant | MEST2G-150-10-CM32 |
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Numéro de pièce future | FT-MEST2G-150-10-CM32 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MEST2G-150-10-CM32 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | - |
Courant - Max | 500mA |
Capacité @ Vr, F | 0.5pF @ 50V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 220 mOhm @ 100mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Paquet / caisse | CM32 |
Package d'appareils du fournisseur | CM32 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MEST2G-150-10-CM32 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MEST2G-150-10-CM32-FT |
BAP65-02,135
NXP USA Inc.
BA277,115
NXP USA Inc.
BA277,135
NXP USA Inc.
BA277,335
NXP USA Inc.
BA278,115
NXP USA Inc.
BAP1321-02,115
NXP USA Inc.
BAP63-02,115
NXP USA Inc.
MADP-007455-12790T
M/A-Com Technology Solutions
BA792,115
NXP USA Inc.
BAP51-03,115
NXP USA Inc.
A3P030-1QNG68
Microsemi Corporation
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1600E-5FG484C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C2
Intel
XC7A200T-2FB676I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
EP4SGX110FF35C4N
Intel