maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR 88-099LRH E6327
Référence fabricant | BAR 88-099LRH E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR 88-099LRH E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR 88-099LRH E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | PIN - 2 Independent |
Tension - Inverse de crête (Max) | 80V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 600 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | 4-XFDFN |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSLP-4-7 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR 88-099LRH E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR 88-099LRH E6327-FT |
BAP51-03,115
NXP USA Inc.
BA591,115
NXP USA Inc.
BAP50-03,135
NXP USA Inc.
BAP70-03,115
NXP USA Inc.
BAP50-03,115
NXP USA Inc.
BA591,135
NXP USA Inc.
BAP64-03,115
NXP USA Inc.
BAP65-03,115
NXP USA Inc.
BAP1321-03,115
NXP USA Inc.
BAP63-03,115
NXP USA Inc.
M1AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE5U-45F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
10CL080ZU484I8G
Intel
EPF10K200SFC484-2
Intel
XC7K325T-2FFG900C
Xilinx Inc.
A42MX24-2PL84
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25FF1020C7N
Intel