maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAT15099E6327HTSA1
Référence fabricant | BAT15099E6327HTSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BAT15099E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAT15099E6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky - 2 Independent |
Tension - Inverse de crête (Max) | 4V |
Courant - Max | 110mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 100mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-253-4, TO-253AA |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT143-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT15099E6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAT15099E6327HTSA1-FT |
MA4P1250NM-1072T
M/A-Com Technology Solutions
MEST2G-025-10-CM32
M/A-Com Technology Solutions
MEST2G-150-10-CM32
M/A-Com Technology Solutions
MADP-011037-13900T
M/A-Com Technology Solutions
MA4E1338E1-1068T
M/A-Com Technology Solutions
MA4E2072M-1068T
M/A-Com Technology Solutions
MA4E2200E1-1068T
M/A-Com Technology Solutions
MA4P4002F-1091T
M/A-Com Technology Solutions
MA4P7441F-1091T
M/A-Com Technology Solutions
BAR 88-07LRH E6327
Infineon Technologies
EP1K30TI144-2N
Intel
XCKU040-2FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S100-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80U484C8
Intel
EP4CE75F23C8
Intel
LFEC15E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ABC356-1
Intel
EP1K50QI208-2N
Intel