maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / MA4P1250NM-1072T
Référence fabricant | MA4P1250NM-1072T |
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Numéro de pièce future | FT-MA4P1250NM-1072T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MA4P1250NM-1072T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Max | - |
Capacité @ Vr, F | 1.2pF @ 50V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 750 mOhm @ 50mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 6W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Paquet / caisse | 2-SMD |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P1250NM-1072T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MA4P1250NM-1072T-FT |
BAP70-02,115
NXP USA Inc.
BAP50-02,115
NXP USA Inc.
BAP65-02,135
NXP USA Inc.
BA277,115
NXP USA Inc.
BA277,135
NXP USA Inc.
BA277,335
NXP USA Inc.
BA278,115
NXP USA Inc.
BAP1321-02,115
NXP USA Inc.
BAP63-02,115
NXP USA Inc.
MADP-007455-12790T
M/A-Com Technology Solutions
XA3S250E-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S400A-5FGG320C
Xilinx Inc.
A42MX36-3PQ240
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DCF484C7G
Intel
5SGXMA3E1H29C1N
Intel
EP4SGX360FH29I3N
Intel
EP4SE530F43I4N
Intel
LFE3-17EA-7LMG328C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29C4N
Intel