maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAP70-02,115
Référence fabricant | BAP70-02,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BAP70-02,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAP70-02,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 50V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.25pF @ 20V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1.9 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 415mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-79, SOD-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP70-02,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAP70-02,115-FT |
SKY16602-632LF
Skyworks Solutions Inc.
RN242CST2RA
Rohm Semiconductor
RN242CST2R
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RN262CST2R
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RN141GT2R
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RN771VTE-17
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XC6SLX150T-3FGG900I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208A
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
XC6SLX45-N3CSG324I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFX200EB-03FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel
10AX115R4F40E3LG
Intel