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Infineon Technologies AUIRF7669L2TR

Name: AUIRF7669L2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: AUIRF7669L2TR
Price: 2.223528 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (764 reviews)

Numéro de pièce MFG: AUIRF7669L2TR

quantité disponible: 73050 Pièces

Prix de référence: USD 2.223528

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: AUIRF7669L2TR.pdf

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AUIRF7669L2TR Caractéristiques

Référence fabricant	AUIRF7669L2TR
Numéro de pièce future	FT-AUIRF7669L2TR
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
AUIRF7669L2TR Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	19A (Ta), 114A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5660pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.3W (Ta), 100W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DIRECTFET L8
Paquet / caisse	DirectFET™ Isometric L8
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRF7669L2TR Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	AUIRF7669L2TR-FT

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