maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPA60R099P6XKSA1
Référence fabricant | IPA60R099P6XKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPA60R099P6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ P6 |
IPA60R099P6XKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 37.9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 14.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.21mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3330pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 34W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-FP |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R099P6XKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPA60R099P6XKSA1-FT |
BSP317PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP318S E6327
Infineon Technologies
BSP318SL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP320S E6327
Infineon Technologies
BSP320S E6433
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BSP320SL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP320SL6433HTMA1
Infineon Technologies
BSP321PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP321PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP322PH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel