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Référence fabricant | AS4C512M8D3LA-12BCN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C512M8D3LA-12BCN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C512M8D3LA-12BCN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-FBGA (9x10.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C512M8D3LA-12BCN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C512M8D3LA-12BCN-FT |
MT41K512M8DA-107:P
Micron Technology Inc.
AS6C8008-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C38098A-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C1M16P-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C1M16PL-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C2M16P-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C512K16P-70BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C512K16PL-70BIN
Alliance Memory, Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel