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Référence fabricant | AS1C2M16P-70BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS1C2M16P-70BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
AS1C2M16P-70BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | PSRAM |
La technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Taille mémoire | 32Mb (2M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.6V ~ 3.3V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-FBGA (6x7) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS1C2M16P-70BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS1C2M16P-70BIN-FT |
AT25256W-10SC
Microchip Technology
AT25256W-10SC-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SC-2.7
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AT25256W-10SI
Microchip Technology
AT25256W-10SI-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SI-2.7
Microchip Technology
AT25DF161-SH-B
Microchip Technology
AT25DQ161-SH-T
Microchip Technology
AT25HP256W-10SC-2.7
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AT25HP256W-10SI
Microchip Technology
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
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LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
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