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Référence fabricant | AS6C8008-55BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS6C8008-55BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS6C8008-55BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 8Mb (1M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-LFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TFBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8008-55BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS6C8008-55BIN-FT |
AT25256AW-10SI-1.8
Microchip Technology
AT25256AW-10SI-1.8-T
Microchip Technology
AT25256AW-10SI-2.7
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AT25256AW-10SI-2.7-T
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AT25256AW-10SU-1.8
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AT25256AW-10SU-2.7
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AT25256W-10SC
Microchip Technology
AT25256W-10SC-1.8
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AT25256W-10SC-2.7
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AT25256W-10SI
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XA6SLX25-2FTG256I
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Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
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5SEE9F45C2LN
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XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
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5SGSMD4H3F35I4N
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Intel