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Référence fabricant | AS1C1M16P-70BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS1C1M16P-70BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
AS1C1M16P-70BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | PSRAM |
La technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Taille mémoire | 16Mb (1M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.6V ~ 3.3V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-FBGA (6x7) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS1C1M16P-70BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS1C1M16P-70BIN-FT |
AT25256AW-10SU-1.8
Microchip Technology
AT25256AW-10SU-2.7
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AT25256W-10SC
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AT25256W-10SC-1.8
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AT25256W-10SC-2.7
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AT25256W-10SI
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AT25256W-10SI-1.8
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AT25256W-10SI-2.7
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AT25DF161-SH-B
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AT25DQ161-SH-T
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EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
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A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
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5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
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