maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / APTMC120AM25CT3AG
Référence fabricant | APTMC120AM25CT3AG |
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Numéro de pièce future | FT-APTMC120AM25CT3AG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTMC120AM25CT3AG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 113A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 80A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 4mA (Typ) |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 197nC @ 20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 1000V |
Puissance - Max | 500W |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP3 |
Package d'appareils du fournisseur | SP3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTMC120AM25CT3AG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTMC120AM25CT3AG-FT |
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