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Microsemi Corporation APTM120A29FTG

Numéro de pièce MFG
APTM120A29FTG
quantité disponible
77260 Pièces
Prix de référence
USD 93.63792
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTM120A29FTG.pdf
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APTM120A29FTG Caractéristiques

Référence fabricant APTM120A29FTG
Numéro de pièce future FT-APTM120A29FTG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTM120A29FTG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
Puissance - Max 780W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP4
Package d'appareils du fournisseur SP4
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120A29FTG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTM120A29FTG-FT

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