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APTGT75DH120T3G Image

Microsemi Corporation APTGT75DH120T3G

Numéro de pièce MFG
APTGT75DH120T3G
quantité disponible
84470 Pièces
Prix de référence
USD 41.1308
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- MOD IGBT 1200V 110A SP3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTGT75DH120T3G.pdf
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APTGT75DH120T3G Caractéristiques

Référence fabricant APTGT75DH120T3G
Numéro de pièce future FT-APTGT75DH120T3G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTGT75DH120T3G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench Field Stop
Configuration Asymmetrical Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 110A
Puissance - Max 357W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 250µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 5.34nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP3
Package d'appareils du fournisseur SP3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGT75DH120T3G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTGT75DH120T3G-FT

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