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APTGLQ50H65T1G Image

Microsemi Corporation APTGLQ50H65T1G

Numéro de pièce MFG
APTGLQ50H65T1G
quantité disponible
64720 Pièces
Prix de référence
USD 32.85216
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- POWER MODULE - IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTGLQ50H65T1G.pdf
APTGLQ50H65T1G Image

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APTGLQ50H65T1G Caractéristiques

Référence fabricant APTGLQ50H65T1G
Numéro de pièce future FT-APTGLQ50H65T1G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTGLQ50H65T1G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench Field Stop
Configuration Full Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 70A
Puissance - Max 175W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 50µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.1nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur SP1
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGLQ50H65T1G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTGLQ50H65T1G-FT

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