maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FD600R17KE3B2NOSA1
Référence fabricant | FD600R17KE3B2NOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FD600R17KE3B2NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FD600R17KE3B2NOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Single Chopper |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | 4300W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 600A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FD600R17KE3B2NOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FD600R17KE3B2NOSA1-FT |
FF1000R17IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF1400R12IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF1400R17IP4PBOSA1
Infineon Technologies
FF450R12IE4BOSA2
Infineon Technologies
FF600R12IE4PNOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IS4F
Infineon Technologies
FF650R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4DPB2BOSA1
Infineon Technologies