maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FF450R12IE4BOSA2
Référence fabricant | FF450R12IE4BOSA2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FF450R12IE4BOSA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF450R12IE4BOSA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 450A |
Puissance - Max | 2550W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 450A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 27nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF450R12IE4BOSA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF450R12IE4BOSA2-FT |
BSM35GP120BOSA1
Infineon Technologies
FP15R12W1T4PBPSA1
Infineon Technologies
FP100R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4BOSA2
Infineon Technologies
BSM200GB60DLCHOSA1
Infineon Technologies
FF75R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IP4BOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IE4BOSA1
Infineon Technologies
FF50R12RT4HOSA1
Infineon Technologies
FF450R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
LFXP3C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484M
Microsemi Corporation
APA600-PQG208
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1VF400I
Microsemi Corporation
ICE40LP640-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C8N
Intel
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
LFEC20E-3F672C
Lattice Semiconductor Corporation