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APTGLQ50DDA65T3G Image

Microsemi Corporation APTGLQ50DDA65T3G

Numéro de pièce MFG
APTGLQ50DDA65T3G
quantité disponible
69120 Pièces
Prix de référence
USD 28.87416
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
- POWER MODULE - IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTGLQ50DDA65T3G.pdf
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APTGLQ50DDA65T3G Caractéristiques

Référence fabricant APTGLQ50DDA65T3G
Numéro de pièce future FT-APTGLQ50DDA65T3G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
APTGLQ50DDA65T3G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench Field Stop
Configuration Dual Boost Chopper
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 70A
Puissance - Max 175W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 50µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.1nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur -
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTGLQ50DDA65T3G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTGLQ50DDA65T3G-FT

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