maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 7164S55TDB
Référence fabricant | 7164S55TDB |
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Numéro de pièce future | FT-7164S55TDB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
7164S55TDB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164S55TDB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 7164S55TDB-FT |
CY14B116N-BA25XIT
Cypress Semiconductor Corp
S71VS064RB0AHT4L0
Cypress Semiconductor Corp
S71VS064RB0AHT4L3
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S71VS128RC0AHK4L0
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S71VS128RC0AHK4L3
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S71VS256RD0AHK4L3
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S71WS256PC0HH3YR0
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S71WS256PC0HH3YR3
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S72XS256RE0AHBH20
Cypress Semiconductor Corp
S72XS256RE0AHBH23
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A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
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5SGSED8K3F40I4N
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10CX150YF672E6G
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5SGXEA9N3F45I4N
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LCMXO2-7000HE-5BG332C
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10AX115H3F34E2SG
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EP3SE50F780C4
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