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Référence fabricant | S72XS256RE0AHBH23 |
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Numéro de pièce future | FT-S72XS256RE0AHBH23 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | XS-R |
S72XS256RE0AHBH23 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH, DRAM |
Taille mémoire | 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 133-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 133-FBGA (8x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S72XS256RE0AHBH23 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S72XS256RE0AHBH23-FT |
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16P-5B AIT:M TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR
Micron Technology Inc.
S34MS04G204TFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGMFA000
Cypress Semiconductor Corp
SM668GE4-AC
Silicon Motion, Inc.
TC58CYG0S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CVG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation