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Référence fabricant | MT47H256M8EB-25E AIT:C TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H256M8EB-25E AIT:C TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (9x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H256M8EB-25E AIT:C TR-FT |
AS7C1024B-12TJINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31025C-10TJIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31025C-10TJINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31025C-12TJINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024C-12JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31024B-12JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-12JCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025C-15JIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024C-12JINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1025C-15JINTR
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel