maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / CY14B116N-BA25XIT
Référence fabricant | CY14B116N-BA25XIT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CY14B116N-BA25XIT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY14B116N-BA25XIT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 16Mb (1M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (10x18) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY14B116N-BA25XIT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY14B116N-BA25XIT-FT |
MT48LC16M16A2B4-6A AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC16M8A2BB-6A AAT:L TR
Micron Technology Inc.
S99FL132KMM41
Cypress Semiconductor Corp
S79FL512SDSMFVG03
Cypress Semiconductor Corp
DS28E10P+
Maxim Integrated
S71NS512RD0ZHEUL0
Cypress Semiconductor Corp
MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel