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Référence fabricant | S72XS256RE0AHBH20 |
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Numéro de pièce future | FT-S72XS256RE0AHBH20 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | XS-R |
S72XS256RE0AHBH20 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH, DRAM |
Taille mémoire | 256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 133-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 133-FBGA (8x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S72XS256RE0AHBH20 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S72XS256RE0AHBH20-FT |
MT29F8G08ABACAH4-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16P-5B AIT:M TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR
Micron Technology Inc.
S34MS04G204TFB010
Cypress Semiconductor Corp
S25FL256LAGMFA000
Cypress Semiconductor Corp
SM668GE4-AC
Silicon Motion, Inc.
TC58CYG0S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel