maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / 4N28S1(TB)
Référence fabricant | 4N28S1(TB) |
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Numéro de pièce future | FT-4N28S1(TB) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N28S1(TB) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 10% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 3µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 500mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N28S1(TB) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N28S1(TB)-FT |
EL817(S)(C)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TA)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TB)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TB)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TA)
Everlight Electronics Co Ltd
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FGG256M
Microsemi Corporation
AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
M2GL005-VF400
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD8K3F40C2N
Intel
EP3SL110F1152C4
Intel
A42MX24-1TQ176
Microsemi Corporation
A3P250-FGG144I
Microsemi Corporation