maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / EL817(S)(D)(TB)
Référence fabricant | EL817(S)(D)(TB) |
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Numéro de pièce future | FT-EL817(S)(D)(TB) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL817(S)(D)(TB) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 300% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 600% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 4µs, 3µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 35V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817(S)(D)(TB) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL817(S)(D)(TB)-FT |
EL817(S)(A)(TU)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(A)(TU)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TD)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TD)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TD)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TD)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TU)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TU)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TU)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TU)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
XC4005E-2TQ144C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-1QNG48I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208A
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4LN
Intel
XC7VX1140T-L2FLG1928E
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG676C
Xilinx Inc.
M1AGL250V5-FGG144I
Microsemi Corporation
EP1S40F780C7N
Intel