maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / EL817(S)(D)(TB)-VG
Référence fabricant | EL817(S)(D)(TB)-VG |
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Numéro de pièce future | FT-EL817(S)(D)(TB)-VG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL817(S)(D)(TB)-VG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 300% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 600% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 6µs, 8µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817(S)(D)(TB)-VG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL817(S)(D)(TB)-VG-FT |
EL817(S)(B)(TD)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TD)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TD)-VG
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EL817(S)(B)(TU)
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EL817(S)(B)(TU)-G
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EL817(S)(B)(TU)-V
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EL817(S)(B)(TU)-VG
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EL817(S)(C)(TD)
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EL817(S)(C)(TD)-G
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EL817(S)(C)(TD)-V
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XC3S500E-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456I
Xilinx Inc.
5AGZME5K2F40C3N
Intel
10AX032H4F34I3SG
Intel
EP4SGX290NF45C4N
Intel
A3P060-1FGG144
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel
EP1SGX40DF1020C6
Intel