maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / EL817(S)(D)(TB)-G
Référence fabricant | EL817(S)(D)(TB)-G |
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Numéro de pièce future | FT-EL817(S)(D)(TB)-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL817(S)(D)(TB)-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 300% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 600% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 6µs, 8µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817(S)(D)(TB)-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL817(S)(D)(TB)-G-FT |
EL817(S)(A)(TU)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TD)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TD)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TD)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TD)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TU)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TU)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TU)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(B)(TU)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(C)(TD)
Everlight Electronics Co Ltd
XC3S50A-4TQG144I
Xilinx Inc.
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
5CGXBC7B7M15C8N
Intel
XC5VLX30T-3FFG665C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G4F35I5N
Intel
EP3SL70F780I3
Intel