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ON Semiconductor 2SJ661-1E

Numéro de pièce MFG
2SJ661-1E
quantité disponible
19420 Pièces
Prix de référence
USD 1.888
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET P-CH 60V 38A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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2SJ661-1E Caractéristiques

Référence fabricant 2SJ661-1E
Numéro de pièce future FT-2SJ661-1E
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
2SJ661-1E Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 38A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4360pF @ 20V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-262-3
Paquet / caisse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SJ661-1E Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 2SJ661-1E-FT

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