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Rohm Semiconductor SCT2280KEC

Numéro de pièce MFG
SCT2280KEC
quantité disponible
48790 Pièces
Prix de référence
USD 8.424
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SCT2280KEC.pdf
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SCT2280KEC Caractéristiques

Référence fabricant SCT2280KEC
Numéro de pièce future FT-SCT2280KEC
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
SCT2280KEC Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 364 mOhm @ 4A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1.4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 18V
Vgs (Max) +22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 667pF @ 800V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 108W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SCT2280KEC Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SCT2280KEC-FT

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