maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6461US/TR
Référence fabricant | 1N6461US/TR |
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Numéro de pièce future | FT-1N6461US/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6461US/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5V |
Tension - Panne (Min) | 5.6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 9V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 56A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6461US/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6461US/TR-FT |
JAN1N6167A
Microsemi Corporation
JAN1N6168A
Microsemi Corporation
JAN1N6169A
Microsemi Corporation
JAN1N6170A
Microsemi Corporation
JAN1N6171A
Microsemi Corporation
JAN1N6172A
Microsemi Corporation
JAN1N6173A
Microsemi Corporation
JANTX1N6140A
Microsemi Corporation
JANTX1N6141A
Microsemi Corporation
JANTX1N6142A
Microsemi Corporation
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XC3S1000-4FG320C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
A3PN125-Z1VQ100
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45E3LG
Intel
10AX032E2F27I1HG
Intel