maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6169A
Référence fabricant | JAN1N6169A |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6169A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6169A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 98.8V |
Tension - Panne (Min) | 123.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 178.8V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 8.4A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | G, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | C, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6169A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6169A-FT |
MXRT100KP70CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP75A
Microsemi Corporation
MXRT100KP75AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP75CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP75CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP78A
Microsemi Corporation
MXRT100KP78AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP78CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP78CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP85A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-1PQG208
Microsemi Corporation
EP2AGX65DF25C4N
Intel
5CGXFC7B6M15C7N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX330T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP2S90F780C5
Intel
EPF8636AQC160-4
Intel