maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6169A
Référence fabricant | JAN1N6169A |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6169A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6169A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 98.8V |
Tension - Panne (Min) | 123.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 178.8V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 8.4A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | G, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | C, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6169A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6169A-FT |
MXRT100KP70CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP75A
Microsemi Corporation
MXRT100KP75AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP75CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP75CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP78A
Microsemi Corporation
MXRT100KP78AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP78CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP78CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP85A
Microsemi Corporation
XC4013XL-09HT144C
Xilinx Inc.
LCMXO256C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F17C6N
Intel
EP1K30FC256-1N
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP10C-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP3SL150F780I3N
Intel