maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6170A
Référence fabricant | JAN1N6170A |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N6170A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6170A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 114V |
Tension - Panne (Min) | 142.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 206.3V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 7.3A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | G, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | C, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6170A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6170A-FT |
MXRT100KP75A
Microsemi Corporation
MXRT100KP75AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP75CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP75CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP78A
Microsemi Corporation
MXRT100KP78AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP78CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP78CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP85A
Microsemi Corporation
MXRT100KP85AE3
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-2FG676I
Xilinx Inc.
A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256I
Microsemi Corporation
MPF200T-1FCG484E
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
5SGXEA4K3F40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
M1A3PE1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation