maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6172A
Référence fabricant | JAN1N6172A |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6172A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6172A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 136.8V |
Tension - Panne (Min) | 171V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 245.7V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 6.1A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | G, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | C, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6172A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6172A-FT |
MXRT100KP75CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP75CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP78A
Microsemi Corporation
MXRT100KP78AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP78CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP78CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP85A
Microsemi Corporation
MXRT100KP85AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP85CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP90A
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
Intel
EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation