Référence fabricant | 1N6080 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6080 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6080 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 37.7A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | A, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 155°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6080 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6080-FT |
1N6625
Microsemi Corporation
1N6625E3
Microsemi Corporation
1N6626
Microsemi Corporation
1N6627
Microsemi Corporation
1N6628
Microsemi Corporation
1N6629
Microsemi Corporation
1N6630
Microsemi Corporation
1N6631
Microsemi Corporation
1N5804US
Microsemi Corporation
1N5802US
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel