Référence fabricant | 1N6080 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6080 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6080 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 37.7A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | A, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 155°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6080 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6080-FT |
1N6625
Microsemi Corporation
1N6625E3
Microsemi Corporation
1N6626
Microsemi Corporation
1N6627
Microsemi Corporation
1N6628
Microsemi Corporation
1N6629
Microsemi Corporation
1N6630
Microsemi Corporation
1N6631
Microsemi Corporation
1N5804US
Microsemi Corporation
1N5802US
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation