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Microsemi Corporation 1N6625E3

Name: 1N6625E3
Brand: Microsemi Corporation
SKU: 1N6625E3
Availability: InStock
Rating: 4.7 (718 reviews)

Numéro de pièce MFG: 1N6625E3

quantité disponible: 47820 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: - DIODE GEN PURP 1.1KV 1A AXIAL

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Diodes - Redresseurs - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: 1N6625E3.pdf

1N6625E3 Caractéristiques

Référence fabricant	1N6625E3
Numéro de pièce future	FT-1N6625E3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
1N6625E3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de diode	Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)	1100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io)	1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si	1.95V @ 1.5A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	80ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	1µA @ 1000V
Capacité @ Vr, F	-
Type de montage	Through Hole
Paquet / caisse	A, Axial
Package d'appareils du fournisseur	A, Axial
Température de fonctionnement - Jonction	-65°C ~ 150°C
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
1N6625E3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	1N6625E3-FT

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