maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JANTXV1N6622
Référence fabricant | JANTXV1N6622 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JANTXV1N6622 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/585 |
JANTXV1N6622 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 660V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1.2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 660V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | A, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV1N6622 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTXV1N6622-FT |
1N5194UR
Microsemi Corporation
1N647UR-1
Microsemi Corporation
1N649UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N4247
Microsemi Corporation
JAN1N4245
Microsemi Corporation
JAN1N4153-1
Microsemi Corporation
JAN1N3614
Microsemi Corporation
JAN1N3613
Microsemi Corporation
JAN1N3612
Microsemi Corporation
JAN1N3174
Microsemi Corporation
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel