maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N4153-1
Référence fabricant | JAN1N4153-1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N4153-1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/337 |
JAN1N4153-1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 20mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50nA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N4153-1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N4153-1-FT |
JANTX1N6640
Microsemi Corporation
JANTX1N6620
Microsemi Corporation
JANTX1N5811US
Microsemi Corporation
JANTX1N5811
Microsemi Corporation
JANS1N5806US
Microsemi Corporation
JANTX1N5806US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5806US
Microsemi Corporation
JANTX1N5802US
Microsemi Corporation
JANTX1N5804US
Microsemi Corporation
JAN1N5802US
Microsemi Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel