maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JANTX1N5804US
Référence fabricant | JANTX1N5804US |
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Numéro de pièce future | FT-JANTX1N5804US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JANTX1N5804US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 875mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, A |
Package d'appareils du fournisseur | D-5A |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTX1N5804US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JANTX1N5804US-FT |
JAN1N4454UR-1
Microsemi Corporation
JANTX1N5711UR-1
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
JANTXV1N4454UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N5711UR-1
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XC6SLX150-N3FG900C
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A3PN250-Z1VQG100
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5SGXEA5K3F35C2N
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XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
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5AGXFB3H4F35I3N
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EP2AGX45DF29C6N
Intel