maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N4247
Référence fabricant | JAN1N4247 |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N4247 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/286 |
JAN1N4247 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | A, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N4247 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N4247-FT |
JANTX1N6643US
Microsemi Corporation
JANTX1N6643
Microsemi Corporation
JANTX1N6640
Microsemi Corporation
JANTX1N6620
Microsemi Corporation
JANTX1N5811US
Microsemi Corporation
JANTX1N5811
Microsemi Corporation
JANS1N5806US
Microsemi Corporation
JANTX1N5806US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5806US
Microsemi Corporation
JANTX1N5802US
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XC3042A-7PQ100C
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M2GL050-FCSG325
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M2GL010TS-1VFG256T2
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5SGXEA5K2F40C2N
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10AX027H3F34E2SG
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XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
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LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
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EP2AGX95EF35C6ES
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