Référence fabricant | 1N6625 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6625 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6625 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.75V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 60ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 1100V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | A, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6625 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6625-FT |
APT20SCD65K
Microsemi Corporation
MS1645
Microsemi Corporation
JANTX1N5615
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JANS1N5806
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JANTX1N5617
Microsemi Corporation
JANS1N5615
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Microsemi Corporation
JANTX1N5806
Microsemi Corporation
JANTX1N6622
Microsemi Corporation
1N5819-1
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LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
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APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
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A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
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EP1S60F1020C6N
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