Référence fabricant | 1N6629 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-1N6629 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6629 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 880V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1.4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 880V |
Capacité @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | A, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6629 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6629-FT |
JANS1N5615
Microsemi Corporation
JANTXV1N6622
Microsemi Corporation
JANTX1N5806
Microsemi Corporation
JANTX1N6622
Microsemi Corporation
1N5819-1
Microsemi Corporation
1N6759
Microsemi Corporation
1N6760
Microsemi Corporation
DSB1A100
Microsemi Corporation
DSB1A20
Microsemi Corporation
DSB1A30
Microsemi Corporation
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel