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Diodes Incorporated ZXMN6A25G

Numéro de pièce MFG
ZXMN6A25G
quantité disponible
82810 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
ZXMN6A25G.pdf
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ZXMN6A25G Caractéristiques

Référence fabricant ZXMN6A25G
Numéro de pièce future FT-ZXMN6A25G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
ZXMN6A25G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-223
Paquet / caisse TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A25G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ZXMN6A25G-FT

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