maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMT6015LFV-7
Référence fabricant | DMT6015LFV-7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DMT6015LFV-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMT6015LFV-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 9.5A (Ta), 35A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18.9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1103pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.2W (Ta), 30W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT6015LFV-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMT6015LFV-7-FT |
DMTH6004LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6005LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6010LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH8012LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH4004SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMN7022LFG-7
Diodes Incorporated
DMN3018SFG-13
Diodes Incorporated
DMN10H170SFG-13
Diodes Incorporated
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel