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Diodes Incorporated DMT8012LFG-13

Name: DMT8012LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT8012LFG-13
Price: 0.367072 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (303 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMT8012LFG-13

quantité disponible: 32240 Pièces

Prix de référence: USD 0.367072

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fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMT8012LFG-13.pdf

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DMT8012LFG-13 Caractéristiques

Référence fabricant	DMT8012LFG-13
Numéro de pièce future	FT-DMT8012LFG-13
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMT8012LFG-13 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9.5A (Ta), 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1949pF @ 40V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.2W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PowerDI3333-8
Paquet / caisse	8-PowerWDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT8012LFG-13 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMT8012LFG-13-FT

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