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Diodes Incorporated ZXMN6A08GQTC

Numéro de pièce MFG
ZXMN6A08GQTC
quantité disponible
16470 Pièces
Prix de référence
USD 0.350384
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
Automotive, AEC-Q101 MOSFETN-CH 60VSOT223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
ZXMN6A08GQTC.pdf
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ZXMN6A08GQTC Caractéristiques

Référence fabricant ZXMN6A08GQTC
Numéro de pièce future FT-ZXMN6A08GQTC
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101
ZXMN6A08GQTC Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 459pF @ 40V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-223
Paquet / caisse TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A08GQTC Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ZXMN6A08GQTC-FT

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