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Référence fabricant | DMP2010UFG-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMP2010UFG-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMP2010UFG-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12.7A (Ta), 42A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 103nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3350pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 900mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP2010UFG-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMP2010UFG-13-FT |
DMNH4006SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMNH4011SPS-13
Diodes Incorporated
DMNH4011SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMNH6008SPS-13
Diodes Incorporated
DMNH6012SPS-13
Diodes Incorporated
DMNH6012SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMNH6021SPS-13
Diodes Incorporated
DMNH6042SPD-13
Diodes Incorporated
DMNH6042SPDQ-13
Diodes Incorporated
DMNH6042SPS-13
Diodes Incorporated
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel