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Référence fabricant | DMN6069SFG-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN6069SFG-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN6069SFG-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.6A (Ta), 18A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1480pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 930mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerDI3333-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN6069SFG-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN6069SFG-7-FT |
DMTH6005LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH6010LPS-13
Diodes Incorporated
DMNH6021SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMN3016LPS-13
Diodes Incorporated
DMNH4006SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMNH4011SPS-13
Diodes Incorporated
DMNH4011SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMNH6008SPS-13
Diodes Incorporated
DMNH6012SPS-13
Diodes Incorporated
DMNH6012SPSQ-13
Diodes Incorporated
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel