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Référence fabricant | ZMY39-GS18 |
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Numéro de pièce future | FT-ZMY39-GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ZMY39-GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 39V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 1W |
Impédance (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 29V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZMY39-GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZMY39-GS18-FT |
BZD27C5V1P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V6P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C62P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V8P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C75P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C7V5P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation